https://www.mreea.ir/ پژوهش‌های نوین در مهندسی برق و الکترونیک هوایی fa daily 1 Sat, 22 Nov 2025 00:00:00 +0330 Sat, 22 Nov 2025 00:00:00 +0330 https://www.mreea.ir/article_234195.html با توجه به اهمیت سلامتی کارکنان در شرایط پرخطر (مانند مأموریتهای فضایی) و ضرورت بهبود سامانه‌های نظارت بر سلامت در صنایع حوزه مهندسی برق و الکترونیک هوافضا، در این تحقیق بیماری مولتیپل اسکلروزیس(ام اس) مورد بررسی قرار گرفته است. برای تشخیص این بیماری از پایگاه داده بیمارستان جانز هاپکینز استفاده شد که حاوی تصاویر توموگرافی انسجام نوری (OCT) از شبکیه چشم راست ۳۵ نفر (21 بیمار مبتلا به ام اس و 14 فرد سالم) در طول مدت 10 سال است. پس از پیش پردازش تصاویر و استخراج ویژگی ها، از سه طبقه بند مختلف جهت دسته بندی افراد در دو گروه سالم و بیمار استفاده شد. ماتریس درهم ریختگی برای سه طبقه بند جنگل تصادفی (RF)، ماشین بردار پشتیبان (SVM) و K-نزدیکترین همسایه (KNN) استخراج و دقت تشخیص بیماری برای هریک محاسبه گردید. نتایج نشان داد طبقه بند RF با دقت 85% بیشترین دقت و KNN با 57% کمترین دقت را دارد. طبقه بند SVM به دقت 71% رسید. در نهایت با استفاده از روش‌های ترکیبی پیشبینی آنها به کمک رأی اکثریت ادغام گردید. نتایج نشان داد که با ترکیب این سه طبقه بند می‌توان به دقت 91% رسید. این دقت‌ها با نتایج مطالعات مشابه اخیر مطابقت دارد. https://www.mreea.ir/article_234648.html برررسی پارامترهای مهم و تاثیرگذار بر روی عملکرد باتری های لیتیوم یون از اهمیت بسیار ویژه ای برخوردار است. مدل سازی و شبیه سازی ساختارهای مورد استفاده مستلزم شناخت عمیق از روابط حاکم بر عملکرد این باتری ها است. یکی از پارامترهای بسیار موثر و تاثیر گذار در عملکرد باتری ها پارامتر پیچش و تجمع ترجیحی لیتیوم در ساختارهای رسانا است. بدین منظور سه نوع داربست از جنس نانوفیبرهای کربنی با پیچش ساختاری متفاوت مدل سازی شد و برای اولین بار پارامتر پیچش در این ساختارها از طریق شبیه سازی محاسبه گردید. سپس برای هر سه این ساختار ها پیکربندی نیم سلول لیتیوم یونی مورد مدل سازی قرار گرفت و میزان پراکندگی نشست لیتیوم در این ساختارها بحث و بررسی شد. نتایج شبیه سازی آشکار کرد که افزایش پیچش ساختاری سبب توزیع غیر یکنواخت لیتیوم در نانوفیبرهای کربنی خواهد شد و هر چه پارامتر پیچش مقدار کمتری داشته باشد لیتیوم به صورت یکنواخت تری در ساختارهای رسانا توزیع می‌گردد. https://www.mreea.ir/article_234748.html شبکه های نوری منعطف، بستر مناسب و امیدبخشی برای پاسخ به ترافیک در حال رشد جامعه جهانی است و محققان زیادی برای بهبود پارامترهای شبکه های نوری منعطف مانند مصرف انرژی، همشنوایی و .. تحقیقات زیادی انجلم داده اند. یکی از چالشهای موجود در شبکه های نوری منعطف تکه تکه شدن طیف است. برای مقابله با این چالش، دو راهکار کلی واکنشی و فعال مطرح شده است. راهکارهای چند مسیره، یکی از راهکارهای زیرمجموعه راهکارهای واکنشی است که نتایج رضایت بخشی از خود نشان داده است. در این راهکار، مقدار طیف درخواستی هر تقاضا، به چندین طیف کوچکتر شکسته می شود و هر طیف کوچک توسط یک مسیر مستقل به مقصد ارسال می شود. مقدار تکه تکه شدن طیف در این گونه الگوریتم ها ، بسیار کم است اما برخی از الگوریتم های موجود به علت تقسیم غیر بهینه طیف، از پهنای باند موجود، استفاده بهینه نمی کنند. این موضوع باعث کاهش کارایی پهنای باند می شود.در این مقاله راهکاری جدیدی از نوع چند مسیره ارایه می گردد که از پهنای باند به صورت کامل استفاده می کند. نتایج شبیه سازی نشان می دهد که نه تنها احتمال مسدودی درخواست های ورودی در الگوریتم پیشنهادی کاهش یافته است بلکه کارایی پهنای باند نیز نسبت به راهکارهای مشابه به مقدار قابل توجهی بهبود پیدا می‌کند. https://www.mreea.ir/article_234749.html صنعت طراحی و ساخت مدارات مجتمع در شش دهه گذشته موجب توسعه انفجاری فناوری اطلاعات شده و با پیشبرد محاسبات مدرن به عنوان موتور قدرتمند تمدن بشری معاصر عمل کرده است. عامل اصلی پیشرفت این صنعت ظریفتر شدن فناوری ساخت (کوچک شدن طول کانال ترانزیستور) قطعات MOS است که در این مقاله تاثیر آن بر روی مشخصه‌ها و مصالحه‌های عملکرد قطعه MOS بر حسب پارامتر کلیدی طراحی ضریب وارونگی (IC) در کلیه نواحی وارونگی (WI، MI و SI) بررسی می‌شود. این مصالحه‌های عملکرد شامل ابعاد فیزیکی، ولتاژهای بایاس، پارامترهای سیگنال کوچک، اعوجاج سیگنال، بهره ذاتی ولتاژ، پهنای باندهای ذاتی و غیر ذاتی، نویز حرارتی، نویز فلیکر، عدم تطابق ناشی از فرآیند ساخت (Mismatch)، جریان نشتی و معیارهای شایستگی مدارهای RF بر حسب IC در تکنولوژیهای ساخت nm90 و nm180 می‌باشند. از طریق نمایش گرافیکی و جاروب (Sweep) عملکردها بر حسب IC در دو تکنولوژی ساخت متفاوت، امکان انتخاب مصالحه-های مد نظر با ظریفتر شدن فرآیند فراهم می‌شود. در نهایت، یک صفحه عملیاتی برای قطعه MOS معرفی می‌شود که به کمک آن می‌توان نقاط بایاس مناسب ترانزیستورها برای نگاشت مصالحه‌های عملکرد بهینه قطعات در اثر ظریفتر شدن تکنولوژی در مدار مورد نظر را انتخاب کرد. https://www.mreea.ir/article_234750.html با کوچک‌شدن ابعاد ترانزیستورها، مصرف انرژی و توان ایستا به چالشی اساسی تبدیل شده‌اند. راهکارهای متعددی از جمله فناوری FinFET، افزاره‌های اسپینترونیک مانند MTJ و محاسبات تقریبی برای بهبود کارایی ارائه شده‌اند. FinFET با کنترل بهتر کانال، مشکلات مقیاس‌گذاری را کاهش داده، در حالی که افزاره‌های اسپینترونیک مزایایی چون نافرار بودن و سازگاری را ارائه می‌کنند. محاسبات تقریبی نیز از طریق کاهش دقت، بهبودهای قابل‌توجهی در پارامترهای توان، تأخیر و مساحت ایجاد می‌کند. این مقاله دو کمپرسور تقریبی 4:2 اسپینترونیک/FinFET کم‌مصرف برای پردازش در حافظه معرفی می‌کند. شبیه‌سازی‌ها با HSPICE در فناوری ۷ نانومتر و مدل SHE-MTJ نشان می‌دهد که طرح‌های پیشنهادی مصرف انرژی و تعداد المان‌ها (ترانزیستور و MTJ) را به شدت کاهش می‌دهند. کمپرسور اول و دوم به‌ترتیب ۳۱٪ و ۶۵٪ کاهش توان، ۱۸٪ و ۴٪ کاهش تأخیر خواندن، و ۵۳٪ و ۵۹٪ کاهش تعداد ترانزیستورها را نسبت به طرح دقیق نشان می‌دهند. دقت کمپرسورها با معیارهای فاصله خطای متوسط و احتمال خطا ارزیابی شده و عملکرد آنها در پردازش تصویر با MATLAB مورد تأیید قرار گرفته است. نتایج، قابلیت بالای این طرح‌ها را در کاربردهای پردازش تصویر نشان می‌دهد. https://www.mreea.ir/article_234751.html این مقاله، روشی جبران فرکانسی برای تقویت‌کننده‌های سه‌طبقه ارائه می‌دهد که قادر به هدایت بار خازنی در گستره‌ای از پیکوفاراد تا نانوفاراد است. در این روش، با به‌کارگیری معماری جبران کسکود میلر، فرکانس قطب غیرغالب مختلط به‌طور مؤثری افزایش می‌یابد و اندازه فیزیکی خازن‌های جبران‌ساز نیز کاهش پیدا می‌کند. یک حلقه کنترل برای تنظیم جریان میرایی داخلی طراحی شده است که با تغییرات قابل‌توجه ظرفیت بار خازنی (C_L ) سازگار می‌شود. این حلقه مشخص می‌کند که چه مقدار جریان باید به گره پارازیتی مربوطه تزریق شود تا ضریب کیفیت قطب مختلط به گونه‌ای کنترل گردد که پیک فرکانسی در نمودار بهره و نیز زمان نشست تقویت‌کننده پیشنهادی در پاسخ پله‌ حلقه‌بسته، تأثیر نامطلوبی نداشته باشد. علاوه بر این، یک صفر در نیم‌صفحه چپ ایجاد شده است تا حاشیه فاز افزایش یابد و همچنین یک طبقه ترارسانایی فیدفوروارد به صورت موازی اضافه گردیده تا نرخ چرخش بهبود یابد. شبیه‌سازی‌های انجام‌شده در فناوری 0/18 میکرومتر CMOS نشان می‌دهد که این تقویت‌کننده قادر است بار خازنی از ۳۰۰ پیکوفاراد تا ۲ نانوفاراد را با پهنای باند حداقل 1/43 مگاهرتز و حاشیه فاز ۴۱ درجه هدایت کند؛ این در حالی است که ولتاژ تغذیه نامی ۱ ولت و توان مصرفی 14/3 میکرووات است.